霍尔元件的公式推导方法

作者：admin 时间：2023-10-13 10:53:20 阅读数：41人阅读

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由①②式得 U(H)=IB/(nqd)③ 式中的nq与导体的材料有关，对于确定的导体，nq是常数。令 k=1/(nq) 则上式可写为 U(H)=kIB/d。

推导过程：方便起见，假设导体为一个长方体，长度分别为a、b、d，磁场垂直ab平面。电流经过ad，电流I = nqv(ad)，n为电荷密度。设霍尔电压为VH，导体沿霍尔电压方向的电场为VH / a。设磁感应强度为B。

霍尔系数计算公式为：Rh=U*d/IB，其中U为霍尔电压，单位mV，d为霍尔元件厚度，单位为μm，I为工作电流，单位为mA，B为磁场强度，单位为T。公式就是用数学符号表示各个量之间的一定关系(如定律或定理)的式子。

上下表面间的电压达到稳定。若设上下表面间距为h，则E=U/h，有qvB=qE=qU/h，U=Bhv。由电流的微观表达式I=nqSv=nqdhv。把hv=U/B代入电流的表达式中，I=nqdU/B，U=BI/nqd。令1/nq=k，则U=kBI/d。

1、依据霍尔效应原理，UH=KHISB 即：霍尔电势差UH与电流IS及磁感应强度B成正比。Is为激励电流，是直流电流。KH为灵敏度常数。注意，磁感应强度B是指与激励电流Is方向垂直的磁场分量。

2、这一现象是霍尔效应。由霍尔效应产生的电势差叫霍尔电势差。为霍尔电势UH，其大小可表示为：UH=RH/d*IC*B 式中，RH称为霍尔系数，它的单位是米的三次方每库仑，由半导体材料的性质决定。

3、霍尔系数的公式：Bqv=Uq/aI。霍尔系数(又称霍尔常数)RH在磁场不太强时，霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比。

4、霍尔电压公式推导是设载流子的电荷量为q，沿电流方向定向运动的平均速率为v，单位体积内自由移动的载流子数为n，垂直电流方向导体板的横向宽度为a，则电流的微观表达式为I=nqadv。霍尔电压即霍尔效应产生的电压（电势差）。

5、推导过程：方便起见，假设导体为一个长方体，长度分别为a、b、d，磁场垂直ab平面。电流经过ad，电流I = nqv(ad)，n为电荷密度。设霍尔电压为VH，导体沿霍尔电压方向的电场为VH / a。设磁感应强度为B。

6、设霍尔电势为EH 则：EH=KIB 注：B为与电流垂直的磁感应强度分量。

霍尔元件的公式推导方法

1、霍尔系数公式是：UH=RH*I*B/δ，式中的RH称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。

2、霍尔系数RH的公式：Rh＝UdIB，U为霍尔电压，单位mv，d为霍尔元件厚度，单位为μm，为工作电流，单位为mA，B为磁场强度，单位为T。公式求出。

3、霍尔效应公式是F=qE+qvB/c(Gauss单位制)，霍尔效应是电磁效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（E.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机制时发现的。

4、霍尔效应：在物质中任何一点产生的感应电场强度与电流密度和磁感应强度之矢量积成正比的现象。

霍尔效应公式是F=qE+qvB/c(Gauss单位制)，霍尔效应是电磁效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（E.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机制时发现的。

霍尔系数公式是：UH=RH*I*B/δ，式中的RH称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。

对于电路中任一节点，流进节点的电流之和等于流出该节点的电流之和，这一关系称为基尔霍夫第一定律，也称节点电流定律．用公式表示即：z15＝ZIo 式中z15为流进节点电流和，ZIo为流出该节点电流之和。

1、电导率 = （霍尔片长L*工作电流Is）/（电压U*霍尔片宽b*霍尔片高d）。在实验仪器上，标注有霍尔片的规格，直接代入公式就行，注意单位的统一。

2、电导率 = (霍尔片长L*工作电流Is)/(电压U*霍尔片宽b*霍尔片高d)。在实验仪器上，标注有霍尔片的规格，直接代入公式就行了，注意单位的统一。

3、反常霍尔电阻电导公式是电导率=（霍尔片长L*工作电流Is）/（电压U*霍尔片宽b*霍尔片高d）。根据查询相关信息显示反常霍尔电导是由于材料本身的自发磁化而产生的，因此是一类新的重要物理效应。

4、H)/a当达到稳定状态时，洛伦兹力与电场力平衡，即qvB=qU(H)/a ② 由①②式得 U(H)=IB/(nqd)③ 式中的nq与导体的材料有关，对于确定的导体，nq是常数。令 k=1/(nq) 则上式可写为 U(H)=kIB/d。

5、一般来说P型半导体的迁移率是N型半导体的1/3到1/。迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重要性进行研究，但对其测量方法却少有提到。