双极异质结晶体管的特性及应用 双异质结发光二极管的原理
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双极性晶体管的应用
1、集电极-发射极电流可以视为受基极-发射极电流的控制，这相当于将双极性晶体管视为一种“电流控制”的器件。还可以将它看作是受发射结电压的控制，即将它看做一种“电压控制”的器件。
2、双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。
3、化合物晶体管通常可以应用于高速器件。双极性晶体管能够提供信号放大，它在功率控制、模拟信号处理等领域有所应用。此外，由于基极-发射极偏置电压与温度、电流的关系已知，双极性晶体管还可以被用来测量温度。
4、功率晶体管广泛应用于各种中小型电力电子电路作开关使用。GTR可用在如变频器、逆变器、斩波器等装置的主回路上。
5、双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。
温度变化时会引起BJT的哪些参数变化?如何变化
BJT是半导体制造的，而半导体在此有两个参数是与温度有关的：一个是禁带宽度（一般随着温度的升高而减小）；二是少数载流子浓度（随着温度的升高而指数式增大）。因此，BJT凡是与这两个参数有关的性能都将发生变化。
当温度升高时，晶体的原子间距增大，能带宽度虽然变窄，但禁带宽度却是减小的。
Ube是发射结导通时的正向电压，也就是克服发射结势垒中电场阻挡作用的电压；这个电压最大也只能是发射结的势垒高度。
什么是同质结与异质结?
1、同质结就是同一种半导体形成的结，包括pn结，pp结，nn结。异质结就是不同半导体形成的结，包括pn结，np结，pp结，nn结。
2、用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。\x0d\x0a制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。
3、用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。
双极型晶体管的击穿特性
1、单极型晶体管 在目前使用的pnp或npn面结型晶体管的工作中，包括金属-氧化物-半导体晶体管在内的场效应晶体管，只需要一种载流子，这种晶体管就叫做单极晶体管。
2、PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
3、igbt是：绝缘栅双极型晶体管。igbt是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
4、单极性晶体管：只有一种极性的多数载流子（电子或空穴）参与导电，故称为单极型晶体管，如场效晶体管等。根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(Si)与锗管(Ge)。
5、例如，MOS管所占芯片面积仅为双极型晶体管的15%。因此，场效应管适合于大规模集成。
